Thông số kỹ thuật:

Điện áp đánh thủng: 100V.
Điện áp VGS = +/-20V
Dòng chịu đựng trung bình: 23A.
Nhiệt độ hoạt động: -55oC ~ 150oC.
Công suất: 100W
Mosfet IRF540 là mosfet kênh N hay mosfet ngược
Mosfet IRF540 là Transistor hiệu ứng trường (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) là một Transistor đặc biệt có cấu tạo và hoạt động khác với Transistor thông thường. Mosfet thường có công suất lớn hơn rất nhiều so với BJT, Mosfet IRF540 có công suất là 100W. Đối với tín hiệu 1 chiều thì nó coi như là 1 khóa.

G: Gate gọi là cực cổng
D: Drain gọi là cực máng
S: Source gọi là cực nguồn
Mosfet IRF540 có nguyên tắc hoạt động dựa trên hiệu ứng từ trường để tạo ra dòng điện, là linh kiện có trở kháng đầu vào lớn thích hợp cho khuyếch đại các nguồn tín hiệu yếu.
Mosfet IRF540 thích hợp cho việc chuyển đổi DC sang AC hay DC. Thường ứng dụng trong UPS, inverter có biến thế thường.
#kenhn #mosfet #irf540